STW20N95DK5

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Especificaciones

Número de pieza

STW20N95DK5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TO 247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

1.STW20N95DK5.pdf
2.STW20N95DK5.pdf
3.STW20N95DK5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

MDmesh™ DK5
RDS (Max) @Id, Vgs

330 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

250W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

497-17761
STW20N95DK5-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

50.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

950V
Descripción detallada

N-Channel 950V 18A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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STW200NF03

Descripción: MOSFET N-CH 30V 120A TO-247

Fabricantes: STMicroelectronics

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