STW200NF03

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Especificaciones

Número de pieza

STW200NF03
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 120A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STW200NF03.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247-3
Serie

STripFET™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

2.8 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

350W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

280nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 120A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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STW20NK70Z

Descripción: MOSFET N-CH 700V 20A TO-247

Fabricantes: STMicroelectronics

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