STT6N3LLH6

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Especificaciones

Número de pieza

STT6N3LLH6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

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Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STT6N3LLH6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-6
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Otros nombres

497-13591-1
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

283pF @ 24V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "STT6N3LLH6".

STT7P2UH7

Descripción: MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6

Fabricantes: STMicroelectronics

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