STT3P2UH7

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Especificaciones

Número de pieza

STT3P2UH7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STT3P2UH7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-6
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Otros nombres

497-15156-1
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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STT7P2UH7

Descripción: MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6

Fabricantes: STMicroelectronics

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