STP3NB100

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Especificaciones

Número de pieza

STP3NB100
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

STP3NB100.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

PowerMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

6 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

100W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-2641-5
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 3A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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STP400N4F6

Descripción: MOSFET N-CH 40V TO-220

Fabricantes: STMicroelectronics

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