STP3N80K5

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Especificaciones

Número de pieza

STP3N80K5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP3N80K5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

SuperMESH5™
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

60W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-14281-5
STP3N80K5-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tc)

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STP36NF06

Descripción: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

Fabricantes: STMicroelectronics

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