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STP185N10F3

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Especificaciones

Número de pieza

STP185N10F3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP185N10F3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.8 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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STP180N55F3

Descripción: MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

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