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STP180N4F6

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Especificaciones

Número de pieza

STP180N4F6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

-
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

STripFET™ F6
RDS (Max) @Id, Vgs

-
La disipación de energía (máximo)

190W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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STP180NS04ZC

Descripción: MOSFET N-CH 33V 120A TO-220

Fabricantes: STMicroelectronics

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