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STN1NK60ZL

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Especificaciones

Número de pieza

STN1NK60ZL
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

STN1NK60ZL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

SuperMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

15 Ohm @ 400mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.3W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

94pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 300mA (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Tc)

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STN1HNK60

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Fabricantes: STMicroelectronics

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