STL8DN6LF6AG

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Especificaciones

Número de pieza

STL8DN6LF6AG
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.STL8DN6LF6AG.pdf
2.STL8DN6LF6AG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (5x6)
Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

27 mOhm @ 9.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

4.8W (Ta), 55W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-16504-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 32A (Tc) 4.8W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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STL8N65M2

Descripción: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

Fabricantes: STMicroelectronics

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