STL80N3LLH6

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Especificaciones

Número de pieza

STL80N3LLH6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL80N3LLH6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (5x6)
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs

5.2 mOhm @ 10.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

60W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-11100-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1690pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 80A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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