STL50DN6F7

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Especificaciones

Número de pieza

STL50DN6F7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.STL50DN6F7.pdf
2.STL50DN6F7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (5x6)
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

11 mOhm @ 7.5A, 10V
Potencia - Max

62.5W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-16488-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 57A (Tc) 62.5W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

57A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "STL50DN6F7".

STL58N3LLH5

Descripción: MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT

Fabricantes: STMicroelectronics

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