STL36DN6F7

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Especificaciones

Número de pieza

STL36DN6F7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL36DN6F7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (5x6)
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

27 mOhm @ 4.5A, 10V
Potencia - Max

58W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-17308-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 33A (Tc) 58W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

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STL3NM60N

Descripción: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

Fabricantes: STMicroelectronics

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