STL35N75LF3

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Especificaciones

Número de pieza

STL35N75LF3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

STL35N75LF3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 32A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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