STI6N90K5

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Especificaciones

Número de pieza

STI6N90K5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

1.STI6N90K5.pdf
2.STI6N90K5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

MDmesh™ K5
RDS (Max) @Id, Vgs

1.1 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

110W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Otros nombres

497-17075
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

900V
Descripción detallada

N-Channel 900V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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STI5N52U

Descripción: MOSFET N-CH 525V 4.4A I2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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