STI6N80K5

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Especificaciones

Número de pieza

STI6N80K5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STI6N80K5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

SuperMESH5™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.6 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

85W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

497-15017-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

255pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

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Envío
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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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STI360N4F6

Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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