STD100N3LF3

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Especificaciones

Número de pieza

STD100N3LF3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD100N3LF3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

STripFET™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

5.5 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

110W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

497-16197-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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Envío
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STD100N10LF7AG

Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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