STD100N10F7

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Especificaciones

Número de pieza

STD100N10F7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD100N10F7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

120W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

497-13548-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4369pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

61nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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STD105N10F7AG

Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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