IRF630FP

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Especificaciones

Número de pieza

IRF630FP
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF630FP.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FP
Serie

MESH OVERLAY™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

400 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

30W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

497-12489-5
IRF630FP-ND
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 9A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRF630FP".

IRF630BTSTU_FP001

Descripción: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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