International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF630NLPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF630NLPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF630NLPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-262
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 5.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

82W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

*IRF630NLPBF
SP001559690
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

575pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A (Tc)

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IRF630NSTRRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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