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QJD1210010

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Especificaciones

Número de pieza

QJD1210010
Fabricante / Marca

Powerex, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.QJD1210010.pdf
2.QJD1210010.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 10mA
Paquete del dispositivo

Module
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 100A, 20V
Potencia - Max

1080W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Module
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

500nC @ 20V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V (1.2kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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BUK7K89-100EX

Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56

Fabricantes: Nexperia

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