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JANTXV2N6796

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Especificaciones

Número de pieza

JANTXV2N6796
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 8A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-205AF (TO-39)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/557
RDS (Max) @Id, Vgs

195 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

800mW (Ta), 25W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-205AF Metal Can
Otros nombres

JANTXV2N6796-MIL
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

28.51nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH

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