JANTXV2N6790

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Especificaciones

Número de pieza

JANTXV2N6790
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

JANTXV2N6790.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-205AF (TO-39)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/555
RDS (Max) @Id, Vgs

850 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

800mW (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-205AF Metal Can
Otros nombres

JANTXV2N6790-MIL
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 3.5A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Tc)

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