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JAN1N5553US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N5553US
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 9A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    800V
  • Paquete del dispositivo
    D-5B
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2µs
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, B
  • Otros nombres
    1086-19416
    1086-19416-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 800V 3A Surface Mount D-5B
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
  • Capacitancia Vr, F
    -
JAN1N5552

JAN1N5552

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5553

JAN1N5553

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5551

JAN1N5551

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Descripción: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5610

JAN1N5610

Descripción: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Descripción: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5550

JAN1N5550

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5555

JAN1N5555

Descripción: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5612

JAN1N5612

Descripción: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5554

JAN1N5554

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5558

JAN1N5558

Descripción: TVS DIODE 175V 265V DO13

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Descripción: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5611

JAN1N5611

Descripción: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5556

JAN1N5556

Descripción: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5614

JAN1N5614

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles

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