APTMC120AM55CT1AG

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Especificaciones

Número de pieza

APTMC120AM55CT1AG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTMC120AM55CT1AG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 2mA (Typ)
Paquete del dispositivo

SP1
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

49 mOhm @ 40A, 20V
Potencia - Max

250W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

98nC @ 20V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V (1.2kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 250W Chassis Mount SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Tc)

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APTMC120AM20CT1AG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1

Fabricantes: Microsemi

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