APTMC120AM25CT3AG

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Especificaciones

Número de pieza

APTMC120AM25CT3AG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTMC120AM25CT3AG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 4mA (Typ)
Paquete del dispositivo

SP3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 80A, 20V
Potencia - Max

500W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP3
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

197nC @ 20V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V (1.2kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 113A (Tc) 500W Chassis Mount SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

113A (Tc)

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APTMC120TAM34CT3AG

Descripción: POWER MODULE - SIC MOSFET

Fabricantes: Microsemi

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