APTM20DHM16T3G

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Especificaciones

Número de pieza

APTM20DHM16T3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTM20DHM16T3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo

SP3
Serie

POWER MOS 7®
RDS (Max) @Id, Vgs

19 mOhm @ 52A, 10V
Potencia - Max

390W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP3
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

140nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

104A

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Los siguientes son productos relacionados con "APTM20DHM16T3G".

APTM20AM08FTG

Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

Fabricantes: Microsemi

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