APTM20DAM05G

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Especificaciones

Número de pieza

APTM20DAM05G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM20DAM05G.pdf
2.APTM20DAM05G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 10mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SP6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6 mOhm @ 158.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1136W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP6
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

27400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

448nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 317A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

317A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APTM20DAM05G".

APTM20AM04FG

Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Fabricantes: Microsemi

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