APT6017LLLG

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Especificaciones

Número de pieza

APT6017LLLG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT6017LLLG.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

4500pF @ 25V
Tensión - Desglose

TO-264 [L]
VGS (th) (Max) @Id

170 mOhm @ 17.5A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

POWER MOS 7®
Estado RoHS

Tube
RDS (Max) @Id, Vgs

35A (Tc)
Polarización

TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

APT6017LLLG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

100nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5V @ 2.5mA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 600V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

600V
relación de capacidades

500W (Tc)

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APT6030BN

Descripción: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Fabricantes: Microsemi

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