APT58M80J

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Especificaciones

Número de pieza

APT58M80J
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT58M80J.pdf
2.APT58M80J.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

110 mOhm @ 43A, 10V
La disipación de energía (máximo)

960W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres

APT58M80JMI
APT58M80JMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

17550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

570nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 60W (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60W (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APT58M80J".

APT6013JLL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Fabricantes: Microsemi Corporation

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