APT4F120K

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Especificaciones

Número de pieza

APT4F120K
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT4F120K.pdf
2.APT4F120K.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 500µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.6 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

225W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

APT4F120KMI
APT4F120KMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1385pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

43nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 4A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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APT47N65SCS3G

Descripción: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Fabricantes: Microsemi

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