APT5010JVRU2

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Especificaciones

Número de pieza

APT5010JVRU2
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT5010JVRU2.pdf
2.APT5010JVRU2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo)

450W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres

APT5010JVRU2MI
APT5010JVRU2MI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7410pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

312nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 44A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

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95278-801B14

Descripción: HDR STR DR.100 DP SMT TB

Fabricantes: Amphenol FCI

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20/05/2025

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