APT45M100J

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Especificaciones

Número de pieza

APT45M100J
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT45M100J.pdf
2.APT45M100J.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 33A, 10V
La disipación de energía (máximo)

960W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres

APT45M100JMI
APT45M100JMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

18500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

570nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 45A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Tc)

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APT44GA60BD30C

Descripción: IGBT 600V 78A 337W TO247

Fabricantes: Microsemi

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