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1185993Imagen APT45GP120B2DQ2GMicrosemi

APT45GP120B2DQ2G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT45GP120B2DQ2G
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 113A 625W TMAX
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APT45GP120B2DQ2G.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 45A
  • Condición de prueba
    600V, 45A, 5 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    18ns/100ns
  • Cambio de Energía
    900µJ (on), 905µJ (off)
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potencia - Max
    625W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3 Variant
  • Otros nombres
    APT45GP120B2DQ2GMI
    APT45GP120B2DQ2GMI-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    PT
  • puerta de carga
    185nC
  • Descripción detallada
    IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    170A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    113A

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Los siguientes son productos relacionados con "APT45GP120B2DQ2G".
APT45GR65B2DU30

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Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi
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APT44F80B2

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Fabricantes: Microsemi
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APT47F60J

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
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APT45GR65BSCD10

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Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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APT45GR65B

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Descripción: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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APT43M60L

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT43M60B2

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT43F60L

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Fabricantes: Microsemi
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APT46GA90JD40

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Descripción: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Fabricantes: Microsemi
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APT43GA90B

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Descripción: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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APT44GA60B

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Descripción: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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APT45GR65SSCD10

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Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi
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APT44GA60BD30

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Descripción: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT44F80L

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Descripción: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT43GA90BD30

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Descripción: IGBT 900V 78A 337W TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT44GA60BD30C

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Descripción: IGBT 600V 78A 337W TO247

Fabricantes: Microsemi
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APT45GP120J

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Descripción: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Fabricantes: Microsemi
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APT45GP120BG

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Descripción: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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APT45M100J

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Descripción: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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APT45GP120JDQ2

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Descripción: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Fabricantes: Microsemi
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