APT40SM120S

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Especificaciones

Número de pieza

APT40SM120S
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT40SM120S.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA (Typ)
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

D3Pak
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 20A, 20V
La disipación de energía (máximo)

273W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2560pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

130nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 41A (Tc) 273W (Tc) Surface Mount D3Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

41A (Tc)

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APT40M42JN

Descripción: MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi

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