APT40M42JN

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Especificaciones

Número de pieza

APT40M42JN
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT40M42JN.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOTOP®
Serie

POWER MOS IV®
RDS (Max) @Id, Vgs

42 mOhm @ 43A, 10V
La disipación de energía (máximo)

690W (Tc)
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

760nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

400V
Descripción detallada

N-Channel 400V 86A (Tc) 690W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

86A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APT40M42JN".

APT40GR120S

Descripción: IGBT 1200V 88A 500W D3PAK

Fabricantes: Microsemi

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