APT20N60SC3G

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Especificaciones

Número de pieza

APT20N60SC3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT20N60SC3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D3Pak
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

190 mOhm @ 13.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

208W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2440pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

114nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D3Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20.7A (Tc)

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APT20SCD65K

Descripción: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Fabricantes: Microsemi

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APT20N60SC3G

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