APT20M38SVRG

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Especificaciones

Número de pieza

APT20M38SVRG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT20M38SVRG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D3 [S]
Serie

POWER MOS V®
RDS (Max) @Id, Vgs

38 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

370W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

25 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6120pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

225nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 67A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D3 [S]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

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APT20SCD65K

Descripción: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Fabricantes: Microsemi

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