APT130SM70B

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Especificaciones

Número de pieza

APT130SM70B
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 700V TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT130SM70B.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 60A, 20V
La disipación de energía (máximo)

556W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 700V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

220nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

700V
Descripción detallada

N-Channel 700V 110A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APT130SM70B".

APT13GP120BDQ1G

Descripción: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Fabricantes: Microsemi

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APT130SM70B

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