APT10M09B2VFRG

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Especificaciones

Número de pieza

APT10M09B2VFRG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT10M09B2VFRG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

T-MAX™ [B2]
Serie

POWER MOS V®
RDS (Max) @Id, Vgs

9 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

625W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

350nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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