APT106N60B2C6

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Especificaciones

Número de pieza

APT106N60B2C6
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT106N60B2C6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 3.4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

T-MAX™ [B2]
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 53A, 10V
La disipación de energía (máximo)

833W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8390pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

308nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

106A (Tc)

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APT100MC120JCU2

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi

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