DS1250Y-100IND+

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Especificaciones

Número de pieza

DS1250Y-100IND+
Fabricante / Marca

Analog Devices / Maxim Integrated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DS1250Y-100IND+.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

100ns
Suministro de voltaje

4.5 V ~ 5.5 V
Tecnología

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo

32-EDIP
Serie

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

4Mb (512K x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

NVSRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP
Número de pieza base

DS1250Y
Tiempo de acceso

100ns

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DS1250W-150

Descripción: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

Fabricantes: Maxim Integrated

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