CSD18510KTTT

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Especificaciones

Número de pieza

CSD18510KTTT
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DDPAK/TO-263-3
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.6 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

250W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Otros nombres

296-45229-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

132nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 274A (Tc) 250W (Ta) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

274A (Tc)

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CSD18512Q5BT

Descripción: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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