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CSD18509Q5BT

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Especificaciones

Número de pieza

CSD18509Q5BT
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-VSON-CLIP (5x6)
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 mOhm @ 32A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 195W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

296-37962-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13900pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

195nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

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Envío
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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "CSD18509Q5BT".

CSD18502Q5BT

Descripción: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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