CSD13306W

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Especificaciones

Número de pieza

CSD13306W
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

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Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-DSBGA (1x1.5)
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.9W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UFBGA, DSBGA
Otros nombres

296-49597-2
CSD13306W-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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CSD13302WT

Descripción: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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