US6U37TR

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Especificaciones

Número de pieza

US6U37TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

US6U37TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 1.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

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US6T4TR

Descripción: TRANS PNP 12V 3A TUMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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