US6M2GTR

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Especificaciones

Número de pieza

US6M2GTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

US6M2GTR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
Paquete del dispositivo

TUMT6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Potencia - Max

1W
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Otros nombres

US6M2GDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V, 150pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V, 20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A, 1A

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US6X5TR

Descripción: TRANS NPN 12V 2A TUMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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