UMD4NTR

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Especificaciones

Número de pieza

UMD4NTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.UMD4NTR.pdf
2.UMD4NTR.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

UMT6
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms, 10 kOhms
Potencia - Max

150mW, 120mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

*MD4

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Los siguientes son productos relacionados con "UMD4NTR".

UMD3NTR

Descripción: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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