SP8J4TB

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Especificaciones

Número de pieza

SP8J4TB
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SP8J4TB.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

235 mOhm @ 2A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SP8J4TBCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.4nC @ 5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 2W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A
Número de pieza base

*J4

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Los siguientes son productos relacionados con "SP8J4TB".

SP8J1TB

Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

SP8J4TB

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