SH8M14TB1

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Especificaciones

Número de pieza

SH8M14TB1
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SH8M14TB1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.5nC @ 5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A, 7A

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SH8KA4TB

Descripción: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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